354元的双16GB DDR5套装，涨到了372元都没人出评测。

没作业可抄，那就卷袖子自己写~

镁光CL46颗粒版本的阿斯加特海拉5600，开测。

平台

DDR5标准，是Dram内存历史上变化最大的一代。

诸多技术参数不提，同比DDR4，用户感知最明显的几个变化：

• 集成PMIC供电管理芯片，外观神似服务器ECC内存，PCB温度可监控
• 速率增加，即便默认电压下降0.1V，内存颗粒发热量仍然显著提升，散热马甲成为标配
• 单颗粒容量倍增，8GB/12GB起步容量内存所需颗粒数减半，同时Bank数减半造成颗粒带宽不足，单条内存的选购底线来到16GB/24GB
• 安全校验机制严格，对信号完整性要求极严，内存延时增加，开机及BIOS设置后重启速度显著拖慢

所以，闲鱼平台8GB、12GB的海力士原厂小绿条，联想/dell/HP品牌机拆换的那种，价格再便宜也不建议一般用户买。

雪上加霜的是，zen4/zen5架构的主线锐龙处理器，IOD内存控制器存在设计缺陷，DDR5兼容性问题突出。

不开机、卡自检、Debug灯常亮，连华硕都阴沟里翻船，个别型号甚至回炉重造。

论DDR5平台的匹配成熟度，当下还是：intel LGA1700 > LGA1851 > AM5

主板厂商绞尽脑汁优化布局走线，AMD也在持续迭代Agesa固件，AM5平台推出三周年之际，一二线主板的内存兼容性问题基本解决。

只是在锐龙7000/9000处理器上，chiplet胶水封装的弊端显现，IF总线频率严重受限：

• SOC一体化的锐龙8000G APU，Fclk频率上限高于2666Mhz
• 锐龙7000/9000的Fclk频率，仅少部分体质能达到2133Mhz
• Fclk总线：Uclk内存控制器：Mclk内存=2：3：3 频率同步时，效能最佳
• DDR内存可上下同时传输，同一时钟周期2次操作，所以标称频率=Mclk真实频率 ×2

说人话就是：DDR5 6000，是锐龙7000/9000目前匹配的甜点规格，最高不建议超过DDR5 6400

规格

阿斯加特是嘉合劲威旗下高端品牌，定位高于光威、酷兽，内存型号以北欧神话人物命名

海拉，又译为赫尔，死亡女神，掌管冥界——第九世界，北欧众神宇宙的最下位

一如神话，阿斯加特的DDR5产品序列里，海拉目前是Zui廉价的型号，对应光威的天策系列

保护壳贴上标签，简单塑封包装，符合定位。

外壳号称“钛银甲”，阳极氧化哑光质地；线条简约上宽下窄，方便拔插借力。

好消息是没有越肩超高，坏消息是太过肥厚，双槽主板上亲密无间，还与散热器风扇冲突。

运行温度不妙。

拆解就不必了，一是影响保修，二是看不出名堂。

根据同品牌其他型号的拆解，内存颗粒多半已经被厂商Remark，打上了自家标签。

毕竟嘉合劲威的内存出货量已经是模组厂前三，做一点定制化、甚至自行采购晶圆、委托代工封装，都不是难事。

使用Thaiphoon Burner台风，软件识别结果如图，DRAM颗粒信息未能完全读取。

对照镁光官网，MT60B2G8开头的DRAM颗粒有两种，规格近乎一致，区别在工作温度。

排除宽温的工业型号，核对默认时序后，确认使用的颗粒为 MT60B2G8HB-48B:A

根据镁光的命名规则，可知：

• 颗粒的出厂频率4800，电压1.1V，时序40-39-39
• 单颗粒容量为2GB，位宽8bit
• 8颗粒并联提供64bit位宽，16GB容量，规格为1R×8，满血bank
• 生产批次为A，即为镁光A-die

有个冷知识，目前零售市场能买到的内存条，基本为厂商预超频产品

颗粒原始频率，即JEDEC（固态技术协会）标准频率，比你想象中要低得多。

以DDR4时代为例，稳定工作上限超过DDR4 4600的那几颗顶流产品：

• 三星B-die，毫无争议的王者，JEDEC频率只有DDR4 2133
• 海力士CJR，DDR4-2666；海力士DJR，DDR4-3200
• 镁光C9BJZ、D9VPP，都是原始频率DDR4-2666的E-die

A-die属于DDR5初期产品，在镁光自有体系里都是垫底，性能敌不过后续的B、D、G批次。

DDR5内存颗粒天梯里，也就比三星早期批次强一点

海力士M-die(3Gb) > 海力士A-die > 南亚 > 三星P-die > 海力士M-die(2Gb) > 镁光B-die(3Gb) > 三星B-die(3Gb) > 长鑫A-die > 镁光A-die > 三星D-die

性能

高带宽影响游戏平均帧，低延时提升最低帧上限。

内存频率既然存在天花板，优化时序、降低延时，是AM5平台内存超频的主要手段。

6000频率下时序能够压到CL28，海力士A-Die可谓AM5用户的梦中情人

价格砍半的海拉5600，我也没指望平替海力士；6000频率能点亮，已是心满意足了。

毕竟，我也不是无脑冲低价，下单前仔细对比过规格，镁光CL46颗粒的5600、6000型号，规格上仅有电压的区别。

按下开机键，第一次启动，自检速度明显比去年7月那台快了很多，也没像AM4平台那样、弹出CPU安全策略重置的提示。

Del键进入BIOS，【Memory Context Restore】系统加速功能默认开启，再加上我用的是锐龙8400F，APU的内存控制器没有BUG，难怪主板的反应速度已经接近AM4平台。

更新BIOS至最新的Ver3.20，开启EXPO预设，ZenTimings信息与AIDA64跑分如下

DDR5时代，AIDA64垂垂老矣，已经测不出内存的带宽极限，仅有延时可做参考；但仍看出两个问题：

• zen4的APU，居然跟单CCD的锐龙一样，内存Copy速度减半
• EXPO预设下，主板自动训练、优化了副时序，tRFC由SPD设定的1983，变为tRFC2一致的1076

难怪5600G的市场价稳如老狗，还能逆势上涨，锐龙8000G阉割的这刀，捅到大腿根的主动脉了。

内存由默认的1.25V加压到1.35V，VDD、VDDQ电压同步至1.35V，内存频率拉到6000，Uclk内存控制器保持1:1同步，FCLK总线频率同步至2000Mhz，顺利开机。

TestMem5，使用锐龙X3D模式拷机十五分钟，没有报错。

看来，即便是低端颗粒，即便制造商已经筛选过体质，海拉5600买来当6000用，也不存在任何问题。

只是不要再去开启BIOS中的【内存高性能模式】，两档设置均无法开机。

一般用户，就抄这个作业；爱折腾的兄弟，接着往下看

超频

内存超频极费时间，极易蓝屏死机卡自检，强制关机、重置BIOS可能非常频繁，开始之前请先做好准备：

• 移除所有不必要的周边，譬如U盘；尤其注意HDD机械硬盘
• 最好单独做个系统盘，超频完成、拿到参数后，win系统废除或重装
• 面板没有Reset按钮的主板，请将机箱前面板的Reset重启键接线至Clear CMOS
• TestMem5提示需要管理员权限的话，请按以下操作

• 【开始】-【运行】，输入gpedit.msc，回车
• 【计算器配置】-【WINDOWS设置】-【安全设置】-【本地策略】-【用户权限分配】-【锁定内存页】
• 【添加用户或组】，输入Administrator，【检测名称】-【确定】

玩DDR5内存，个人建议只动主时序、内存电压、SOC三项，其他全部Auto交给主板

• 主时序就是tCL开始的四项，tRCDWRR和tRCDRD联动同步，所以一般只用动tCL、tRCD、tRP三个数，调节幅度±2
• 颗粒电压1.1V出厂，1.5V以下都安全，关键是颗粒吃不吃
• SOC电压只跟Flck总线频率相关，2000Mhz以下1.2V，超过2000Mhz 1.3V，不要再超；达到1.35V容易IOD鼓包

虽然我是用的锐龙8400F，极限超频意义不大，仅按照普通锐龙的玩法，开个6400频率。

内存电压1.40V，VDD、VDDQ电压保持1.35V，Fclk同步至2133Mhz，SOC电压来到标红警告的1.30V

第一把，34-44-44，tRAS副时序放松到最大值128，能开机，烤内存三分钟报错。

第二把，36-44-44，tRAS副时序继续128，内存半小时不报错。

副时序tRAS由128开始，每次下调6；压到92后，第14分钟TM5报错，最终稳定在98

内存提升，网游帧数最敏感，尤其是FPS类网游。

使用CS2的官方测试基准，1080p默认最高画质下，相较默频、游戏平均帧提升9.3%，最低帧提升25.7%

此时的内存延时仅有65.6ns，拿到DDR4平台、也是可以满意的成绩。

再看tREFI，这个数值跟刷新间隔有关，数值越大越好，可以很明显的降低延时；且与内存体质、电压没关系，只跟内存条的散热效能相关，开大后内存热量上升更快。

• tREFI = 8192 x N + 8184
• 最小8184，最大65528
• 因为16进制换算10进制的关系，主板的最大值65535是错的

由主板默认的12463、拉满至65528，延迟下降近4ns，效果非常明显；但游戏帧数提升仅1%

可以看到内存延时带来的游戏效能，正在边际递减。

TM5拷机十五分钟，室温20℃下，内存PCB温度由55.5℃，升至57.8℃

左侧有CPU风冷，顶上有个机箱风扇抽风，这个温度并不稳妥，芯片温度远高于PCB，虽然HWinfo没有提示触碰95℃的温度墙、引发降频

玩贴贴的双槽内存，我可不敢这样长期使用，测试完还是得降回来

其他

【Memory Context Restore】系统加速功能，可以加快系统重启、自检时间，但会增加2~3ns内存延时。

这个选项一般需和【Power Down Enable】内存节能同开同关。

华擎最新BIOS里，【Memory Context Restore】默认开启，两个【Power Down Enable】选项默认Auto

ZenTimings许久没能更新，目前BUG很多，AM5平台很多信息不能显示，【Power Down Enable】状态也是错的。

刨根问底，三个状态下都跑了测试，游戏也是每次跑四轮取中间值，结论如下：

• 【Power Down Enable】Auto就行，默认状态会与【Memory Context Restore】同步开启
• 关闭【Memory Context Restore】仅能降低1ns延时，提升游戏low帧1.6%，但开机、重启时间会多40秒~1分钟

建议按照主板默认设置，保持【Memory Context Restore】和【Power Down Enable】同步开启

最后，我还尝试压了一下tRFC小参数，参数好看了一点，游戏帧数却输了

一二线主板现在的内存训练非常智能，自动设定的小参很接近极限，512的系统tRFC，压到480都会黑屏、半小时开不了机，设定到500，游戏低帧低了一大截

所以我说，只管主时序，其他Auto，交给主板自己训练。

最后，我把内存电压降回1.35V，副时序改回auto，通过了30分钟的TM5拷机；内存PCB拷机温度56.5℃，10分钟游戏温度44.5℃，可以盖棺定论了。

总结

市面低价条的颗粒，要么镁光A-die，要么三星D-die，区别如下：

• 二者耐压能力都很渣，基本过1.4V就黑屏躺平，点不亮
• 三星优在时序，主时序三数值可以完全一致的跑在36-36-36-76；镁光第二第三时序只能跑44
• 镁光超频潜力强点，能跑DDR 6400，三星只能DDR 6000

同为CL46镁光颗粒，阿斯加特海拉5600的体验，明显好于去年的光威天策5600；当然，主板、BIOS和CPU都更匹配。

以AM5平台现状，也不建议普通用户追求高价海力士（专业FPS电竞玩家无视）。

2027年，传说中2nm新IOD的zen6发布了，御三家的DRAM制程也全部进入12nm了，整个生态会更加成熟，高性能DDR5的竞争也会更加良性，不会像现在这样，海力士独尊。

好价，就是好产品。

• 【普通用户】使用EXPO预设，内存电压=VDD=VDDQ加压至1.35V，内存频率拉到DDR 6000，保持Flck 2000Mhz、Ulck 1:1同步即可
• 【进阶用户】CPU体质合格的情况下，SOC电压1.3V，Flck 2133Mhz，内存可以稳定在DDR 6000 36-44-44-98 tRFC512
• 相信主板的内存训练，尤其是一二线主板，主时序的三个数值外，建议全Auto
• 保持【Memory Context Restore】系统加速和【Power Down Enable】内存节能同步开启
• 散热条件好的四槽主板用户，tREFI可依次尝试16376、24568、32760、40952、49144、57336、57336
• 游戏才是检验内存超频稳定性的试金石，闪退、死机多半问题在内存上，可逐步放松时序，tCL +2，或tRAS +6，直至稳定